Investigadors de la Universitat del RMIT, han dissenyat un nou tipus de transistor, que és el bloc bàsic per la construcció de tota l'electrònica actual. En lloc d'enviar corrents elèctrics a través del silici, aquests transistors envien electrons a través d'estrets buits d'aire, on poden viatjar sense traves com si estiguessin a l'espai.
El dispositiu presentat al diari de ciències de materials Nano Letters, elimina l'ús de qualsevol semiconductor, fent-lo més ràpid i menys propens a escalfar-se.
L'autor principal i candidat al doctorat del Grup de Recerca sobre Materials Funcionals i Microsistemes de RMIT, Shruti Nirantar, va dir que aquest prometedor disseny del concepte de nanoxips amb combinació del buit d'aire i absència de metall, podria revolucionar l'electrònica.
Tot ordinador i telèfon té milions de milers de milions de transistors electrònics fets de silici, però aquesta tecnologia està arribant als seus límits físics on els àtoms de silici s'interposen al flux actual, per tant, limiten la velocitat i causen pèrdues en forma de calor.
Aquesta tecnologia de transistors de 'canals d'aire', té el corrent que flueix per l'aire, de manera que no hi ha col·lisions per retardar-la i al no tenir resistència en el material, no produeix calor.
La potència de les xips d'ordinador (o el nombre de transistors que hi ha en un xip de silici) s'ha incrementat de forma predecible durant dècades, aproximadament doblant-se cada dos anys. Però aquest ritme de progrés, conegut com a Llei de Moore, ha disminuït en els últims anys, ja que els enginyers lluiten per fer que les parts del transistor, siguin cada cop més petites.
Aquesta recerca, te un futur prometedor per a la nano electrònica en resposta a la limitació de l'electrònica basada en el silici ja que, només porta una alternativa a la miniaturització d'un transistor.
Aquest disseny va tenir de resoldre un important defecte en els transistors tradicionals: estan plens d'àtoms, el que significa que els electrons passen per ells, col·lapsen, ralentitzen i consumeixen energia.
Però tot i que aquest concepte és obvi, les solucions d'estanqueitat al buit dels transistors per fer-los més ràpids, també els fan molt més grans, de manera que ara mateix, no són viables.
Font: RMIT University
Cap comentari:
Publica un comentari a l'entrada